GS66502B-MR

GaN Systems Logo
499-GS66502B-MR

GS66502B-MR

Fabrikant:

Omschrijving:
MOSFET 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

In voorraad: 6.114

Voorraad:

6.114 Kan onmiddellijk worden verzonden

Fabriekslevertijd:

34 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Voor dit product wordt een lange levertijd vermeld.
 
Minimum: 1   Veelvouden: 1

€ -,--
€ -,--
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 250)
Gesneden tape
MouseReel (+€ 5,00)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™
1 € 12,22 € 12,22
10 € 11,05 € 110,50
25 € 10,53 € 263,25
100 € 9,14 € 914,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 250)
250 € 9,13 € 2.282,50
500 € 7,95 € 3.975,00
1.000 € 7,17 € 7.170,00
† € 5,00 MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren.
Productkenmerk Kenmerkwaarde
GaN Systems
MOSFET
RoHS:  Details
GaN-on-Si
SMD/SMT
DIE
N-Channel
1 Channel
650 V
7.5 A
260 mOhms
- 10 V, + 7 V
1.1 V
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
-
Enhancement
GaNPX
Reel
Cut Tape
MouseReel
Merk: GaN Systems
Configuratie: Single
Ontwikkelingskit: GS665MB-EVB
Vochtgevoelig: Yes
Producttype: MOSFET
Reeks: GS665xx
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 250
Subcategorie: MOSFETs
Transistortype: E-HEMT Power Transistor
Onderdeelnr. Aliassen: GS66502B-E01-MR

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

GaN Systems GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high-yield, and GaNPX®  small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.

Afbeelding Omschrijving
GaN Systems GS66508B-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
GaN Systems GS66504B-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
GaN Systems GS-065-030-2-L-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
GaN Systems GS66508T-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
GaN Systems GS-065-004-1-L-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 4A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
GaN Systems GS-065-011-1-L-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 11A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
GaN Systems GS66506T-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
GaN Systems GS-065-008-1-L-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
GaN Systems GS-065-011-2-L-MR Also Bought Image
MOSFET 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
HARTING 15210502401000 Also Bought Image
Bord naar bord & secundaire connectoren har-flex THR str fml sold per piece