GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

Fabrikant:

Omschrijving:
IGBT's 600V/30A DIS

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

In voorraad: 82

Voorraad:
82 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
18 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
€ -,--
Ext. Prijs:
€ -,--
Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
€ 3,65 € 3,65
€ 2,41 € 24,10
€ 1,69 € 169,00
€ 1,39 € 695,00
€ 1,37 € 1.370,00

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
Toshiba
Productcategorie: IGBT's
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
Merk: Toshiba
Continue collectorstroom Ic max.: 30 A
Producttype: IGBT Transistors
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 100
Subcategorie: IGBTs
Gewicht per stuk: 6,756 g
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99