Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

757-TK8A50DSTA4QM

Fabrikantnr:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Fabrikant:

Toshiba

Omschrijving:

MOSFET's N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Gegevensblad:

TK8A50D(STA4,Q,M) Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)

In voorraad: 337

Voorraad:: 337

Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Besteld:: 250

Verwacht 16-3-2026
Fabriekslevertijd:: 32

weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 1,78	€ 1,78
	€ 0,903	€ 9,03
	€ 0,877	€ 87,70
	€ 0,691	€ 345,50
	€ 0,545	€ 545,00
	€ 0,543	€ 1.357,50
	€ 0,541	€ 2.705,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Toshiba
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-220-3
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	500 V
Id - Continue afvoerstroom:	8 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	850 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	2 V
Qg - Ingangsbelasting:	16 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd - Vermogensverlies:	40 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	MOSVII
Verpakken:	Tube
Merk:	Toshiba
Configuratie:	Single
Daaltijd:	12 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	1 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	20 ns
Reeks:	TK8A50D
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	50
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	60 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	40 ns
Gewicht per stuk:	2 g

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

TK8A50D(STA4,Q,M) Gegevensblad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.