DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-basisspanning VCBO
Emitter-basisspanning VEBO
Collector-emitterverzadigingsspanning
Pd - Vermogensverlies
Versterking Bandbreedte Product fT
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Kwalificatie
Reeks
Verpakken
Diodes Incorporated Bipolaire transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Gegevensblad
1.592In voorraad
2.000Verwacht 8-4-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolaire transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Gegevensblad
3.880In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolaire transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Gegevensblad
1.592In voorraad
2.000Verwacht 20-4-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape