TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

Resultaten: 20
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Verpakken
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
Gegevensblad
1.800In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
Gegevensblad
1.800In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
Gegevensblad
1.997In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Gegevensblad
1.998In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
Gegevensblad
2.000In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
Gegevensblad
2.000In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
Gegevensblad
73In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO247 650V 1.69A N-CH
Gegevensblad
205In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 2.2A N-CH
Gegevensblad
381In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 2.2A N-CH
Gegevensblad
284In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 1.4A N-CH
Gegevensblad
350In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 1.4A N-CH
Gegevensblad
312In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 1.1A N-CH
Gegevensblad
306In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's TO220 150V 1.1A N-CH
Gegevensblad
209In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Gegevensblad
16In voorraad
100Verwacht 18-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?
Gegevensblad
50In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Gegevensblad
50In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Gegevensblad
3In voorraad
150Verwacht 15-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube