RQ3xFRATCB krachtige MOSFET's

RQ3xFRATCB krachtige MOSFET's van ROHM Semiconductor  zijn goedgekeurd overeenkomstig AEC-Q101 voor de autosector. Deze MOSFET's leveren een afvoerbronspanningsbereik van -40 V tot 100 V, 8 klemmen, tot maximaal 69 W vermogensverlies en ±12 A  tot ±27 A continue afvoerstroom. RQ3xFRATCB krachtige MOSFET's zijn beschikbaar in een versie met een N-kanaal en versie met een P-kanaal. Deze krachtige MOSFET's worden geleverd in een kleine HSMT8AG-behuizing van 3,3 mm x 3,3 mm. RQ3xFRATCB power MOSFETs zijn ideaal voor Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), infotainment, verlichting en carrosserie.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Verpakken
ROHM Semiconductor MOSFET's Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Gegevensblad
3.830In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET's Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Gegevensblad
2.997In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET's Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Gegevensblad
2.795In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape