IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBTs are high-gain IGBTs optimized for ultra-low conduction losses VCE(sat) and for switching frequencies of up to 5kHz. Thin wafer technology and improved processes enable a low gate charge QG, hence, low gate-current requirement. High gain boosts surge current capability, and the positive thermal co-efficient of VCE(sat) simplifies paralleling. The low thermal resistance of Rth(j-c) eases thermal-related design issues. 

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Verpakking / doos
Montagetype
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Maximale gate-emitterspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Pd - Vermogensverlies
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
IXYS IGBT's TO264 1200V 110A GENX4
Gegevensblad
158In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT's PLUS247 1200V 110A GENX4
Gegevensblad
207In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT's SOT227 1200V 110A GENX4
Gegevensblad
320In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube