1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Resultaten: 8
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
25In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
56In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
115In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
95In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
120In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
97In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
71In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET's MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 6 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement