Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

NTH4L075N065SC1

Name: onsemi NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L075N065SC1
Price: 6.49 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NTH4L075N065SC1

Fabrikantnr:

NTH4L075N065SC1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS TO247-4L 650V

Gegevensblad:

NTH4L075N065SC1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NTH4L075N065SC1

In voorraad: 776

Voorraad:: 776 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 17 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 6,49	€ 6,49
	€ 4,64	€ 46,40
	€ 4,47	€ 447,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-247-4
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	650 V
Id - Continue afvoerstroom:	38 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	85 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.3 V
Qg - Ingangsbelasting:	61 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	148 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	7 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	9 S
Verpakken:	Tube
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	12 ns
Reeks:	NTH4L075N065SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	450
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typische uitschakelvertragingstijd:	20 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	10 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NTH4L075N065SC1 Gegevensblad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTH4L075N065SC1 57mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TO-247-4L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTH4L075N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).