π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Resultaten: 11
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Verpakken
Toshiba MOSFET's Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
Gegevensblad
3.371In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET's PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Gegevensblad
3.324In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET's PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
Gegevensblad
13In voorraad
150Verwacht 2-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET's PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Gegevensblad
64In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET's TO252 900V 2A N-CH MOSFET
Gegevensblad
2.125In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET's Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Gegevensblad
40In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET's Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ
Gegevensblad
290In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET's PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Gegevensblad
159In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET's PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
Gegevensblad
204In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET's PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Gegevensblad
72In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET's PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
Gegevensblad
313In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube