1700V N-channel siliciumcarbide-MOSFET’s

Central Semiconductor 1700V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications. These MOSFETs feature a gate-source voltage (VGS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of 37A (CDMS24720-170) or 26A (CDMS24740-170). Both devices have a 28W power dissipation (PD) rating and are packaged in a TO-247 with an operating temperature range of -55°C to 175°C. These Central Semiconductor 1700V SiC MOSFETs support higher breakdown voltage and better thermal conductivity.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Central Semiconductor SiC MOSFET's 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Central Semiconductor SiC MOSFET's 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 37 A 20 V 2.6 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion