SIRS5700DP-T1-RE3

Vishay
78-SIRS5700DP-T1-RE3
SIRS5700DP-T1-RE3

Fabrikant:

Omschrijving:
MOSFET's N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

In voorraad: 2.543

Voorraad:
2.543 Kan onmiddellijk worden verzonden
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
€ -,--
Ext. Prijs:
€ -,--
Est. Tarief:
Verpakking:
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™
€ 4,05 € 4,05
€ 2,68 € 26,80
€ 2,05 € 205,00
€ 1,78 € 890,00
€ 1,73 € 1.730,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)
€ 1,51 € 4.530,00
† € 5,00 MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren.

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
Vishay
Productcategorie: MOSFET's
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
150 V
144 A
5.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
73 nC
- 55 C
+ 150 C
278 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Merk: Vishay
Configuratie: Single
Daaltijd: 25 ns
Voorwaartse transconductantie - min: 122 S
Producttype: MOSFETs
Stijgtijd: 21 ns
Reeks: SiRS5700DP
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 3000
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd: 40 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 20 ns
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET

Vishay SiRS5700DP N-Channel 150V (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Vishay SiRS5700DP optimizes power efficiency, and the device's RDS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. This MOSFET undergoes 100% Rg and UIS testing, guaranteeing reliability. The device also enhances power dissipation and lowers thermal resistance (RthJC), making it an ideal choice for high-performance applications.