RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFxDNZ Super Fast Recovery Diodes are cathode common dual type diodes featuring low forward voltage and low switching loss. These recovery diodes include silicon epitaxial planar type construction. The RFxDNZ recovery diodes are stored at -55°C to 150°C temperature range. These fast recovery diodes operate at 150°C junction temperature and 10μA reverse current. The RFxDNZ super-fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Resultaten: 5
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Vr - Sperspanning
If - Voorwaartse stroom
Type
Configuratie
Vf - Voorwaartse spanning
Max. stootstroom
Ir - Keerstroom
Hersteltijd
Maximale bedrijfstemperatuur
Verpakken
ROHM Semiconductor Gelijkrichters Super Fast Recovery Diode
Gegevensblad
5.721In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-220FN-3 300 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 1.3 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gelijkrichters Super Fast Recovery Diode
Gegevensblad
1.015In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 20 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gelijkrichters Super Fast Recovery Diode
Gegevensblad
1.092In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 10 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 80 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gelijkrichters Super Fast Recovery Diode
Gegevensblad
976In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-220FN-3 200 V 6 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 60 A 10 uA 25 ns + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Gelijkrichters Super Fast Recovery Diode
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 12 weken
Min.: 1.000
Veelv.: 1.000

Through Hole TO-220FN-3 200 V 16 A Super Fast Recovery Diode Dual 930 mV 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Tube