QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

Soorten Halfgeleiders
Categorieweergave wijzigen
Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS
Qorvo Bipolaire RF-transistors DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor
Gegevensblad
100In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 100

Qorvo GaN FET's DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 16 weken
Min.: 500
Veelv.: 500
Spoel: 500