Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 22.4 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVBG025N065SC1

Fabrikantnr:

NVBG025N065SC1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOS D2PAK-7L 650V

Gegevensblad:

NVBG025N065SC1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVBG025N065SC1

In voorraad: 68

Voorraad:: 68 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 14 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Op hoeveelheden boven 68 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 22,40	€ 22,40
	€ 17,61	€ 176,10
	€ 17,59	€ 1.759,00
	€ 17,34	€ 8.670,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 800)
	€ 16,76	€ 13.408,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
REACH - SVHC:
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	D2PAK-7
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	650 V
Id - Continue afvoerstroom:	106 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	28.5 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4.3 V
Qg - Ingangsbelasting:	164 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	395 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Configuratie:	Single
Daaltijd:	8 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	27 S
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	19 ns
Reeks:	NVBG025N065SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	800
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typische uitschakelvertragingstijd:	32 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	17 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVBG025N065SC1 Gegevensblad

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).