TRSx SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx SiC Schottky Barrier Diodes are a 3rd generation chip design with a repetitive peak reverse voltage (VRRM) rating of 1200V. The forward DC current rating (IF(DC)) for the TRS30N120HB is 15A per leg or 30A for both legs, and the TRS40N120HB is 20A per leg or 40A for both legs. These devices are available in a standard TO-247 package. Toshiba TRSx Sic Schottky Barrier Diodes are ideal in power factor correction, solar inverters, uninterruptible power supplies, and DC-DC converter applications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Configuratie
If - Voorwaartse stroom
Vrrm - Periodieke sperspanning
Vf - Voorwaartse spanning
Ifsm - Voorwaartse piekstroom
Ir - Keerstroom
Maximale bedrijfstemperatuur
Toshiba SiC Schottkydiodes 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Gegevensblad
30In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba SiC Schottkydiodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Gegevensblad
24In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C