IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Verpakking / doos
Montagetype
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Maximale gate-emitterspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Pd - Vermogensverlies
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
IXYS IGBT's BIMOSFET 1700V 75A
Gegevensblad
3.229In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBT's BIMOSET 42A 1700V
Gegevensblad
297In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBT's 1700V 75A
Gegevensblad
302In voorraad
450Verwacht 27-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube