F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Product Configuratie Collector-emitterspanning VCEO max. Collector-emitterverzadigingsspanning Doorlopende voedingsverzamelaar op 25° Gate-emitterlekstroom Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Verpakken
Infineon Technologies IGBT-modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Levertijd 10 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Niet in voorraad levertijd 10 weken
Min.: 18
Veelv.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies IGBT-modules 650 V, 200 A 3-level IGBT module Niet in voorraad levertijd 10 weken
Min.: 18
Veelv.: 18

Tray