CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

Resultaten: 30
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
651In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.084In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
444In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
345In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
335In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
179In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
594In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.154In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
824In voorraad
1.000Verwacht 12-3-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
176In voorraad
240Verwacht 9-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
1.180In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
1.004In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Gegevensblad
840In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
222In voorraad
720Verwacht 23-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
302In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.291In voorraad
4.000Verwacht 2-3-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Gegevensblad
49In voorraad
4.250Besteld
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
255In voorraad
240Verwacht 30-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
422In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Gegevensblad
36In voorraad
480Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
194In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's SILICON CARBIDE MOSFET
Gegevensblad
141In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Gegevensblad
59In voorraad
960Verwacht 11-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Gegevensblad
159In voorraad
240Verwacht 9-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Gegevensblad
40In voorraad
960Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC