Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 25.9 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

863-NVH4L020N090SC1

Fabrikantnr:

NVH4L020N090SC1

Fabrikant:

onsemi

Omschrijving:

SiC MOSFET's SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Gegevensblad:

NVH4L020N090SC1 Gegevensblad

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over onsemi NVH4L020N090SC1

In voorraad: 450

Voorraad:: 450 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 13 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Op hoeveelheden boven 450 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 25,90	€ 25,90
	€ 20,81	€ 208,10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	onsemi
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
Verpakking / doos:	TO-247-4
Handelsnaam:	EliteSiC
Merk:	onsemi
Verpakken:	Tube
Producttype:	SiC MOSFETS
Reeks:	NVH4L020N090SC1
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	30
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

NVH4L020N090SC1 Gegevensblad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability than silicon. Also, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).