EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Fabrikant:

Omschrijving:
Stroombeheer IC Ontwikkelinghulpmiddelen Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

Levenscyclus:
Nieuw product:
Nieuw van deze fabrikant.

In voorraad: 15

Voorraad:
15 Kan onmiddellijk worden verzonden
Minimum: 1   Veelvouden: 1   Maximaal: 5
Eenheidsprijs:
€ -,--
Ext. Prijs:
€ -,--
Est. Tarief:
Dit product wordt GRATIS verzonden

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
€ 51,59 € 51,59

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
STMicroelectronics
Productcategorie: Stroombeheer IC Ontwikkelinghulpmiddelen
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Merk: STMicroelectronics
Afmetingen: 56 mm x 79 mm
Verpakken: Bulk
Producttype: Power Management IC Development Tools
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 1
Subcategorie: Development Tools
Gewicht per stuk: 100 g
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180

EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board is easy to use, as well as quick and suitable for evaluating the characteristics of the STDRIVEG212 driving two 2.2mΩ (typical), 100V emode GaN switches in a half-bridge configuration. The STDRIVEG212 is a 220V high-speed half-bridge gate driver optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. It features separated high-current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, undervoltage, bootstrap diode, high-side fast startup, overtemperature, fault/shutdown pins, and standby to fully support hard-switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package. The EVLSTDRIVEG212 board is also suitable for evaluating the STDRIVEG612 features.