Vermogens-MOSFET’s van siliciumcarbide voor de auto-industrie

Vermogens-MOSFET’s voor de auto-industrie  van STMicroelectronics  zijn ontwikkeld met behulp van geavanceerde en innovatieve tweede en derde generatie SiC MOSFET-technologie van  ST. De apparaten  hebben een lage weerstand in aan-toestand per unitoppervlak en zeer goede schakelprestaties.  De MOSFET’s hebben een zeer hoge bedrijfstemperatuurcapaciteit (TJ = 200°C) en een zeer snelle en robuuste intrinsieke lichaamsdiode.

Resultaten: 21
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Kwalificatie
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Gegevensblad
882In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Gegevensblad
274In voorraad
600Verwacht 9-3-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
640In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Gegevensblad
739In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
513In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Gegevensblad
502In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Gegevensblad
1.011In voorraad
600Verwacht 4-1-2027
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Gegevensblad
14In voorraad
2.000Verwacht 12-10-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Gegevensblad
160In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Gegevensblad
619In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Gegevensblad
142In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Gegevensblad
73In voorraad
1.200Verwacht 16-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Gegevensblad
593In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
90In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 105 mOhms - 18 V, + 18 V 5 V 63 nC - 55 C + 200 C 290 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
600Verwacht 27-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
1.200Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Gegevensblad
996Verwacht 22-4-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Gegevensblad
1.113Verwacht 10-3-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Gegevensblad
100Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Gegevensblad
100Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET's Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 32 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement