Resultaten: 11
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.054In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.189In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
3.648In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
433In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.900In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
475In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
1.651In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
752In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
256In voorraad
1.000Verwacht 5-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
259In voorraad
5.000Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET's CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Gegevensblad
9In voorraad
2.000Verwacht 11-6-2026
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement