SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

Resultaten: 31
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Kwalificatie
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
360In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
352In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
199In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
1.629In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Gegevensblad
695In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
467In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
376In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
506In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
376In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
193In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Gegevensblad
Productopmerkingen
428In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Nch 1200V 24A SiC TO-247N
Gegevensblad
169In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
Gegevensblad
61In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 650V 39A N-CH SIC
Gegevensblad
714In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Gegevensblad
529In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 650V 70A N-CH SIC
Gegevensblad
235In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Gegevensblad
87In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA
Gegevensblad
990In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
Gegevensblad
983In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 1.000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Gegevensblad
1.197In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Gegevensblad
102In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Gegevensblad
322In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Gegevensblad
759In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Gegevensblad
887In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET's TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Gegevensblad
150In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement