IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultaten: 10
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Product
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Gate-emitterlekstroom
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Verpakken
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Gegevensblad
6In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Gegevensblad
17In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
Gegevensblad
25In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Gegevensblad
2In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Gegevensblad
18In voorraad
20Verwacht 26-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Gegevensblad
4In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Gegevensblad
20Verwacht 28-4-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Geen
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules PP IHM I
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 14 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 14 weken
Min.: 10
Veelv.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 14 weken
Min.: 10
Veelv.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray