STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent RDS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Verpakken
STMicroelectronics MOSFET's N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Gegevensblad
2.575In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFET's N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Gegevensblad
75In voorraad
1.000Verwacht 21-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube