PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Product
Type
Montagetype
Verpakking / doos
Aantal sturingen
Aantal uitgangen
Uitgangsstroom
Voedingsspanning - Min
Voedingsspanning - Max
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
STMicroelectronics Poortdrivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Gegevensblad
330In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Poortdrivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Gegevensblad
403In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape