UF4C/SC 4e generatie SiC FET's van 1200 V

UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC-FET’s van Qorvo vormen een hoogwaardige serie die de beste specificaties in de sector levert. De UF4C/SC Gen 4 SiC-FET's van 1 200 V zijn ideaal voor reguliere busarchitecturen van 800 V, te vinden in geïntegreerde laders voor EV's, industriële acculaders, industriële voedingen, hernieuwbare energiebronnen, energieopslag, lasmachines, UPS en inductieverwarmingen. De serie van de vierde generatie is verkrijgbaar in opties van 23 mΩ tot 70 mΩ en gebaseerd op een unieke cascadeconfiguratie, waarbij een hoogwaardige SiC JFET wordt gecombineerd met een cascade-geoptimaliseerde Si-MOSFET en zo een standaard gate-drive SiC-apparaat wordt gecreëerd. Deze constructie zorgt voor een flexibel ontwerp waarbij de poortaandrijfspanning niet gewijzigd hoeft te worden, en die Si IGBT's, Sic FET's of Si-superjunction-modules eenvoudig vervangt.