UF4C/SC 4e generatie SiC FET's van 1200 V

UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC-FET’s van Qorvo vormen een hoogwaardige serie die de beste specificaties in de sector levert. De UF4C/SC Gen 4 SiC-FET's van 1 200 V zijn ideaal voor reguliere busarchitecturen van 800 V, te vinden in geïntegreerde laders voor EV's, industriële acculaders, industriële voedingen, hernieuwbare energiebronnen, energieopslag, lasmachines, UPS en inductieverwarmingen. De serie van de vierde generatie is verkrijgbaar in opties van 23 mΩ tot 70 mΩ en gebaseerd op een unieke cascadeconfiguratie, waarbij een hoogwaardige SiC JFET wordt gecombineerd met een cascade-geoptimaliseerde Si-MOSFET en zo een standaard gate-drive SiC-apparaat wordt gecreëerd. Deze constructie zorgt voor een flexibel ontwerp waarbij de poortaandrijfspanning niet gewijzigd hoeft te worden, en die Si IGBT's, Sic FET's of Si-superjunction-modules eenvoudig vervangt.

Resultaten: 11
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype Verpakking / doos Polariteit transistor Aantal kanalen Vds - Doorslagspanning van druppelbron Id - Continue afvoerstroom Rds On - Druppelbronweerstand Vgs - Poort-bronspanning Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron Qg - Ingangsbelasting Minimale bedrijfstemperatuur Maximale bedrijfstemperatuur Pd - Vermogensverlies Kanaalmodus Handelsnaam
onsemi SiC MOSFET's 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 768In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/53MOSICFETG4TO24 678In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 747In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 513In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 692In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/70MOSICFETG4TO24 674In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/70MOSICFETG4TO24 416In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/53MOSICFETG4TO24 81In voorraad
600Verwacht 20-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET's UF4C120053B7S 200In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's UF4C120070B7S 200In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET's 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 2In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET