BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Fabrikant:

Omschrijving:
MOSFET-modules 300A SiC Power Module

Gegevensblad:
ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.
Meer informatie
Meer informatie over ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001

In voorraad: 4

Voorraad:
4 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
27 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Op hoeveelheden boven 4 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
€ -,--
Ext. Prijs:
€ -,--
Est. Tarief:
Dit product wordt GRATIS verzonden

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
€ 711,67 € 711,67
€ 698,28 € 8.379,36

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
ROHM Semiconductor
Productcategorie: MOSFET-modules
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Merk: ROHM Semiconductor
Configuratie: Dual
Daaltijd: 65 ns
Hoogte: 15.4 mm
Lengte: 152 mm
Producttype: MOSFET Modules
Stijgtijd: 70 ns
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 4
Subcategorie: Discrete and Power Modules
Type: SiC Power Module
Typische uitschakelvertragingstijd: 250 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 80 ns
Vr - Sperspanning: 1.2 kV
Breedte: 62 mm
Gewicht per stuk: 444,780 g
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

TARIC:
8541590000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Er is een onverwachte fout opgetreden.


Hebt u een vraag? Bezoek het Helpcentrum.
Voor vragen over een specifieke bestelling kunt u inloggen op uw account.

Als u nog meer problemen ondervindt, neem dan contact met ons op via 800-346-6873 of stuur een e-mail naar help@mouser.com.