IXTQ34N65X2M & IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs

IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs feature a 650V drain-source breakdown voltage and either a 34A or 48A continuous drain current. IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated devices that operate over a -55°C to +150°C operating temperature range. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, and more.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Verpakken
IXYS MOSFET's TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 27 weken
Min.: 300
Veelv.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET's TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 27 weken
Min.: 300
Veelv.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube