MRF101 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF101 RF Power LDMOS Transistors are highly-rugged N-channel enhancement mode lateral MOSFETs designed to exhibit high performance up to 250MHz. These transistors integrate ESD protection with a greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. Both the transistors come in two pin-out versions mirroring each other to support push-pull configurations for further flexibility. The MRF101 transistors are ideal for high Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) industrial, scientific, and medical applications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Polariteit transistor
Technologie
Id - Continue afvoerstroom
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Werkingsfrequentie
Versterking
Uitgangsvermogen
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Montagetype
Verpakking / doos
Verpakken
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Gegevensblad
3.593In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Gegevensblad
253In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Geen
N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube