QPA0001 GaN Driver Amplifiers

Qorvo QPA0001 GaN Driver Amplifiers are based on 0.15µm QGaN15 on the SiC process in a 4mm x 3mm x 0.65mm mold-encapsulated QFN package. These amplifiers feature a 8.5GHz to 10.5GHz operating frequency range, 2W saturated output power, 50% power-added efficiency, and 27dB of large signal gain. The QPA0001 amplifiers also feature 33dBm output power, -40°C to 85°C operating temperature range, 16V drain voltage, and 55mA drain current. These amplifiers are ideal for commercial, military radar, and communications.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Werkingsfrequentie
Werkvoedingsspanning
Operationele Voeding
Versterking
Type
Montagetype
Technologie
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
Qorvo RF Versterker X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN
Gegevensblad
54In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo RF Versterker X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 18 weken
Min.: 250
Veelv.: 250
Spoel: 250

QPA0001 Reel