NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Fabrikant:

Omschrijving:
MOSFET's PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

ECAD-model:
Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

In voorraad: 9.702

Voorraad:
9.702 Kan onmiddellijk worden verzonden
Fabriekslevertijd:
21 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.
Minimum: 1   Veelvouden: 1
Eenheidsprijs:
€ -,--
Ext. Prijs:
€ -,--
Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh. Eenheidsprijs
Ext. Prijs
€ 1,86 € 1,86
€ 1,23 € 12,30
€ 0,832 € 83,20
€ 0,663 € 331,50
€ 0,63 € 630,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 1500)
€ 0,571 € 856,50
€ 0,542 € 1.626,00

Productkenmerk Kenmerkwaarde Selecteer kenmerk
onsemi
Productcategorie: MOSFET's
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Merk: onsemi
Producttype: MOSFETs
Reeks: NTTFS012N10MD
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 1500
Subcategorie: Transistors
Gevonden producten:
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen
Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.
Geselecteerde attributen: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench-technologie

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.