CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V Gate Injection Technology (GIT) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) offer fast turn-on and turn-off speeds at minimum switching losses. These GaN enhancement-mode power transistors are available in a ThinPAK 5x6 surface-mount package, ideal for applications that require a compact device without a heatsink. The small 5mm x 6mm2 footprint and low 1mm profile height makes the Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMTs perfect for achieving high power density.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Infineon Technologies GaN FET's HV GAN DISCRETES
Gegevensblad
4.659In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET's HV GAN DISCRETES
Gegevensblad
4.880In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET's HV GAN DISCRETES
Gegevensblad
4.926In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement