MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 268W (Tc=25°C) and continuous drain current of 10.5A to 52A (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L, TO-247 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultaten: 16
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Handelsnaam
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Gegevensblad
2.313In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
800Verwacht 25-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 18-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 18-6-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
800Verwacht 16-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 16-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
800Verwacht 16-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 16-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
800Verwacht 3-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 6-7-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 21-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
600Verwacht 17-9-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 57 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 57 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 57 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors SiC MOSFET's 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Gegevensblad
Niet in voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC