Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 5.54 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

78-SIJK5100E-T1-GE3

Fabrikantnr:

SIJK5100E-T1-GE3

Fabrikant:

Vishay

Omschrijving:

MOSFET's PWRPK 100V 417A

Levenscyclus:

Nieuw product:

Nieuw van deze fabrikant.

Gegevensblad:

SIJK5100E-T1-GE3 Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Vishay SIJK5100E-T1-GE3

In voorraad: 4.359

Voorraad:: 4.359 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 3 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 5,54	€ 5,54
	€ 3,79	€ 37,90
	€ 2,77	€ 277,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 1500)
	€ 2,35	€ 3.525,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Vishay
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	PowerPAK-16
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	100 V
Id - Continue afvoerstroom:	417 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	1.4 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4 V
Qg - Ingangsbelasting:	131 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	536 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	TrenchFET
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Merk:	Vishay
Configuratie:	Single
Daaltijd:	35 ns
Voorwaartse transconductantie - min:	245 S
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	18 ns
Reeks:	SIJK5100E
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	1500
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel
Typische uitschakelvertragingstijd:	54 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	41 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

SIJK5100E-T1-GE3 Gegevensblad (PDF)

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.