MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Werkingsfrequentie
Werkvoedingsspanning
Operationele Voeding
Versterking
Type
Montagetype
Verpakking / doos
Technologie
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
MACOM RF Versterker Transistor,GaN,100W,CW
Gegevensblad
87In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Versterker Amplifier,GaN,50W,CW
Gegevensblad
84In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF Versterker Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 28 weken
Min.: 250
Veelv.: 250
Spoel: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel