Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

STD25NF20

Name: STMicroelectronics STD25NF20
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD25NF20
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

511-STD25NF20

Fabrikantnr:

STD25NF20

Fabrikant:

STMicroelectronics

Omschrijving:

MOSFET's N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

Voltooi uw ontwerp

Gegevensblad:

STD25NF20 Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over STMicroelectronics STD25NF20

In voorraad: 13.806

Voorraad:: 13.806 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 13 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Verpakking:

Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 2500)

Gesneden tape

MouseReel (+€ 5,00)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™ ^†
	€ 1,68	€ 1,68
	€ 1,07	€ 10,70
	€ 0,721	€ 72,10
	€ 0,572	€ 286,00
	€ 0,524	€ 524,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 2500)
	€ 0,482	€ 1.205,00
	€ 0,469	€ 2.345,00
	€ 0,468	€ 4.680,00
	€ 0,452	€ 11.300,00

† € 5,00 MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	STMicroelectronics
Productcategorie:	MOSFET's
RoHS:
Technologie:	Si
Montagetype:	SMD/SMT
Verpakking / doos:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	200 V
Id - Continue afvoerstroom:	18 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	125 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	2 V
Qg - Ingangsbelasting:	28 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	110 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Kwalificatie:	AEC-Q101
Handelsnaam:	STripFET
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Verpakken:	MouseReel
Merk:	STMicroelectronics
Configuratie:	Single
Daaltijd:	10 ns
Producttype:	MOSFETs
Stijgtijd:	30 ns
Reeks:	STD25NF20
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	2500
Subcategorie:	Transistors
Transistortype:	1 N-Channel Power MOSFET
Typische uitschakelvertragingstijd:	40 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	15 ns
Gewicht per stuk:	330 mg

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

STD25NF20 Gegevensblad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET I™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET I™ Power MOSFETs are enhancement mode Power MOSFETs that benefit from the "single feature size" strip-based process. This decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. This makes these devices ideal for switching automotive applications.