1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Resultaten: 11
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Product
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-emitterverzadigingsspanning
Doorlopende voedingsverzamelaar op 25°
Gate-emitterlekstroom
Pd - Vermogensverlies
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Verpakken
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Gegevensblad
6In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Gegevensblad
17In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-modules 650 V, 450 A dual IGBT module
Gegevensblad
9In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules MEDIUM POWER 62MM
Gegevensblad
20In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules MEDIUM POWER 62MM
Gegevensblad
12In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Gegevensblad
19In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Gegevensblad
12In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Gegevensblad
18In voorraad
20Verwacht 26-2-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Gegevensblad
4In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 14 weken
Min.: 10
Veelv.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT-modules 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 12 weken
Min.: 10
Veelv.: 10

Tray