Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Terug naar zoekresultaten

Ziet u een fout?

LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 23.62 EUR
Availability: InStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

576-LSIC1MO120G0040

Fabrikantnr:

LSIC1MO120G0040

Fabrikant:

IXYS

Omschrijving:

SiC MOSFET's TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Gegevensblad:

LSIC1MO120G0040 Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over IXYS LSIC1MO120G0040

In voorraad: 431

Voorraad:: 431 Kan onmiddellijk worden verzonden

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Fabriekslevertijd:: 29 weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Op hoeveelheden boven 431 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
	€ 23,62	€ 23,62
	€ 18,96	€ 189,60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	IXYS
Productcategorie:	SiC MOSFET's
RoHS:
Montagetype:	Through Hole
Verpakking / doos:	TO-247-4
Polariteit transistor:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	1.2 kV
Id - Continue afvoerstroom:	70 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	50 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	4 V
Qg - Ingangsbelasting:	175 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 175 C
Pd - Vermogensverlies:	357 W
Kanaalmodus:	Enhancement
Merk:	IXYS
Configuratie:	Single
Daaltijd:	8 ns
Verpakken:	Tube
Producttype:	SiC MOSFETS
Stijgtijd:	9 ns
Reeks:	LSIC1MO120G0xxx
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	450
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typische uitschakelvertragingstijd:	22 ns
Typische inschakelvertragingstijd:	13 ns

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

LSIC1MO120G0040 Gegevensblad (PDF)

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs

IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs offer a 1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents. These MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications, and feature ultra-low on-resistance, low gate resistance, and normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs are ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, motor drives, battery chargers, and more.