1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules

SemiQ 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules are highly efficient modules designed to boost cost-efficiency and allow more compact system-level designs. These SemiQ high-speed switching SiC MOSFETs implement a planar technology with rugged gate oxide and feature a reliable body diode. These design elements are arranged in a three-phase bridge topology. 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules also feature split DC negative terminals, press-fit terminal connections, and a Kelvin reference for stable operation. The high-power-density modules offer low switching losses and low junction-to-case thermal resistance. All parts are tested beyond 1350V with 100% wafer-level burn-in (WLBI).

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Reeks
Verpakken
SemiQ MOSFET-modules 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 12 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-modules 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 12 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET-modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 12 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray