MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Polariteit transistor
Technologie
Id - Continue afvoerstroom
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Werkingsfrequentie
Versterking
Uitgangsvermogen
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Montagetype
Verpakking / doos
Verpakken
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Gegevensblad
355In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 16 weken
Min.: 240
Veelv.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube