ADL8121 GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8121 GaAs (Gallium Arsenide) pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Low Noise Amplifier operates from 0.025GHz to 12.0GHz and provides a typical gain of 16.5dB. The ADL8121 Amplifier features a low a 2.5dB typical noise figure and a typical output third-order intercept (OIP3) of 36dBm. The 21.5dBm saturated output power (PSAT) enables the device to function as a local oscillator (LO) driver for many Analog Devices, Inc., balanced, in-phase and quadrature (I/Q), and image rejection mixers.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Werkingsfrequentie
Werkvoedingsspanning
Operationele Voeding
Versterking
NF - Ruisvorm
Type
Montagetype
Verpakking / doos
Technologie
P1dB - Compressiepunt
OIP3 - Onderschepping van de derde orde
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
Analog Devices RF Versterker 0.1 12 GHz High Linear LNA
Gegevensblad
75Besteld
Min.: 1
Veelv.: 1

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Cut Tape
Analog Devices RF Versterker 0.1 12 GHz High Linear LNA
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 11 weken
Min.: 3.000
Veelv.: 3.000
Spoel: 3.000

25 MHz to 12 GHz 5 V 95 mA 16.5 dB, 17 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm, 21 dBm 34 dBm, 36 dBm - 40 C + 85 C ADL8121 Reel