QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Geen resultaten gevonden.
Probeer uw zoekterm hieronder te wijzigen of neem contact op met ons Hulpcentrum.
Zoeksuggesties
  • Controleer de spelling van de onderdeelnummers of trefwoorden
  • Gebruik minder of andere trefwoorden
  • Zoek 1 onderdeelnummer tegelijk
  • Pas 1 filter tegelijk toe
Producten en fabrikanten
Hebt u nog vragen?