650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.

Resultaten: 7
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Verpakken
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
7.281In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
4.720In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
432In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
76In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
96In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
Levertijd 20 weken
Min.: 1
Veelv.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET's MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 20 weken
Min.: 2.500
Veelv.: 2.500
Spoel: 2.500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel