HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm PSAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Werkingsfrequentie
Werkvoedingsspanning
Operationele Voeding
Versterking
Type
Montagetype
Verpakking / doos
Technologie
P1dB - Compressiepunt
OIP3 - Onderschepping van de derde orde
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Reeks
Verpakken
Analog Devices RF Versterker GaN Driver Ampllifier
Gegevensblad
103In voorraad
187Verwacht 1-5-2026
Min.: 1
Veelv.: 1

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 35 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 41.5 dBm 44 dBm - 40 C + 85 C HMC1114 Cut Tape
Analog Devices RF Versterker GaN Driver Ampllifier
Gegevensblad
Niet in voorraad levertijd 11 weken
Min.: 500
Veelv.: 500
Spoel: 500

2.7 GHz to 3.8 GHz 28 V 150 mA 32 dB Driver Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN - 40 C + 85 C HMC1114 Reel