MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

Resultaten: 2
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Configuratie
Collector-emitterspanning VCEO max.
Collector-basisspanning VCBO
Emitter-basisspanning VEBO
Collector-emitterverzadigingsspanning
Pd - Vermogensverlies
Versterking Bandbreedte Product fT
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Kwalificatie
Verpakken
Panjit Bipolaire transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
Gegevensblad
26.735In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolaire transistors - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Gegevensblad
29.441In voorraad
MouseReel beschikbaar
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel