RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs are 40V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer
 Fabrikant
Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid.
Hvh. RoHS ECAD-model Technologie
Montagetype
Verpakking / doos
Polariteit transistor
Aantal kanalen
Vds - Doorslagspanning van druppelbron
Id - Continue afvoerstroom
Rds On - Druppelbronweerstand
Vgs - Poort-bronspanning
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron
Qg - Ingangsbelasting
Minimale bedrijfstemperatuur
Maximale bedrijfstemperatuur
Pd - Vermogensverlies
Kanaalmodus
Kwalificatie
Verpakken
ROHM Semiconductor MOSFET's DFN8 P CHAN 30V
Gegevensblad
2.180In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET's DFN8 N CHAN 40V
Gegevensblad
2.400In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET's DFN8 N CHAN 40V
Gegevensblad
3.000Verwacht 4-3-2026
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape