Het lijkt erop dat JavaScript in uw browser is uitgeschakeld. Tenzij u zich aanmeldt, zullen sommige functies op deze pagina niet werken.

Ziet u een fout?

GS66502B-TR

Name: Infineon GS66502B-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66502B-TR
Price: 10.86 EUR
Availability: OutOfStock

Afbeelding zijn alleen ter referentie
Zie productspecificaties

Mouser-nr.

499-GS66502B-TR

Fabrikantnr:

GS66502B-TR

Fabrikant:

Infineon Technologies

Omschrijving:

GaN FET's 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

Gegevensblad:

GS66502B-TR Gegevensblad (PDF)

ECAD-model:

Download de gratis bibliotheeklader om dit bestand voor uw ECAD-hulpmiddel om te zetten. Meer informatie over het ECAD-model.

Meer informatie

Meer informatie over Infineon Technologies GS66502B-TR

Beschikbaarheid

Voorraad:: 0

U kunt dit product nog steeds voor een nabestelling kopen.

Er is een onverwachte fout opgetreden. Probeer het later nog eens.
Besteld:: 1.891
Fabriekslevertijd:: 53

weken De geschatte productietijd in de fabriek voor meer dan de weergegeven hoeveelheden.

Op hoeveelheden boven 1891 zijn minimale bestelhoeveelheden van toepassing.

Voer het aantal in:

Minimum: 1 Veelvouden: 1

Eenheidsprijs:

€ -,--

Ext. Prijs:

€ -,--

Est. Tarief:

Verpakking:

Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)

Gesneden tape

MouseReel (+€ 5,00)

Prijsbepaling (EUR)

Hvh.	Eenheidsprijs	Ext. Prijs
Gesneden tape / MouseReel™ ^†
	€ 10,86	€ 10,86
	€ 8,84	€ 88,40
	€ 7,37	€ 737,00
	€ 6,57	€ 3.285,00
	€ 6,30	€ 6.300,00
Op hele Spoel (Bestel in veelvouden van 3000)
	€ 5,35	€ 16.050,00

† € 5,00 MouseReel™-bewerkingskosten worden in uw winkelwagen toegevoegd en berekend. Het is niet mogelijk om MouseReel™-bestellingen te annuleren of te retourneren. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Productkenmerk	Kenmerkwaarde	Selecteer kenmerk
Fabrikant:	Infineon
Productcategorie:	GaN FET's
RoHS:
Montagetype:	SMD/SMT
Polariteit transistor:	HEMT
Aantal kanalen:	1 Channel
Vds - Doorslagspanning van druppelbron:	650 V
Id - Continue afvoerstroom:	7.5 A
Rds On - Druppelbronweerstand:	260 mOhms
Vgs - Poort-bronspanning:	- 10 V, 7 V
Vgs th - Drempelspanning van ingangsbron:	2.6 V
Qg - Ingangsbelasting:	1.6 nC
Minimale bedrijfstemperatuur:	- 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Kanaalmodus:	Enhancement
Handelsnaam:	GaNPX
Merk:	Infineon Technologies
Configuratie:	Single
Ontwikkelingskit:	GS665MB-EVB
Maximale werkingsfrequentie:	10 MHz
Minimale werkingsfrequentie:	0 Hz
Vochtgevoelig:	Yes
Verpakken:	Reel
Verpakken:	Cut Tape
Verpakken:	MouseReel
Producttype:	GaN FETs
Reeks:	GS665xx
Verpakkingshoeveelheid af fabriek:	3000
Subcategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistortype:	E-Mode

Gevonden producten:

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten te tonen

Vink tenminste één selectievakje aan om vergelijkbare producten in deze categorie te tonen.

Geselecteerde attributen: 0

Filter document:

Gegevensblad

GS66502B-TR Gegevensblad (PDF)

Voor deze functionaliteit moet JavaScript zijn ingeschakeld.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.