MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.

Resultaten: 3
Selecteren Afbeelding Onderdeelnummer Fabrikant Omschrijving Gegevensblad Beschikbaarheid Prijsbepaling (EUR) De resultaten in de tabel met eenheidsprijs filteren op basis van uw hoeveelheid. Hvh. RoHS ECAD-model Polariteit transistor Technologie Id - Continue afvoerstroom Vds - Doorslagspanning van druppelbron Werkingsfrequentie Versterking Uitgangsvermogen Maximale bedrijfstemperatuur Montagetype Verpakking / doos Verpakken
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H 121In voorraad
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H Niet in voorraad levertijd 10 weken
Min.: 150
Veelv.: 150
Spoel: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230GS Niet in voorraad levertijd 10 weken
Min.: 1
Veelv.: 1
Spoel: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel